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?SB100A/3型四探針導體/半導體電阻率測量儀技術參數
更新時間:2025-09-11   點擊次數:223次

SB100A/3型四探針導體/半導體電阻率測量儀技術參數

 

由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低,他們的測量采用四端接線法。為了滿足實際的需要,本儀器采用四探針法原理來實現對不同金屬、半導體、導電高分子材料的電阻及電阻率的測量。可用于高校物理教育實驗,對導體/半導體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。本產品的電阻測量范圍可達10-5—106Ω。

 

SB100A/3型四探針導體/半導體電阻率測量儀是由SB118/1型精密電壓電流源以及SB120/2四探針樣品平臺二臺儀器構成。

 

l SB118型精密直流電壓電流源 (詳見該產品使用說明書)

 

直流電流源

a)  電流輸出范圍:1nA~200mA,輸出電壓不小于5V;

b)  量程:分五檔,20μA、200μA、2mA、20mA、200mA;

c)   電流輸出的基本wu差:0.03%RD±0.02%FS(20±2℃);其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。

 

直流電壓源

a)  電壓輸出范圍:5μV~50V,負載電流不小于10mA(20mV以上);

b) 量程:分五檔,20mV、200mV、2V、20V、50V,每檔均有粗調和細調;

c)  電壓輸出的基本wu差:0.05%RD±0.02%FS(20±2℃)。

數字電壓表(4?LED)利用電壓源部分“取樣"端可對被測電壓進行測試

 

a)  測量量程   20mV,200mV,2V,20V,200V

b)  最高分辨力  可達1µV

c) 基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS   (20±2oC)

l  SB120/2四探針樣品平臺(詳見該產品使用說明書)

 

為被測薄膜樣品,利用四探針測量方式測量導體/半導體樣品的電阻和電阻率,提供了方便。

 

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